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SEMIX303GB12VS

更新时间： 2024-01-18 15:56:28

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
5页	390K
描述
High short circuit capability

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SEMIX303GB12VS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20	针数：	20
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	448 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X20	元件数量：	2
端子数量：	20	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	774 ns
标称接通时间 (ton)：	542 ns	VCEsat-Max：	2.2 V
Base Number Matches：	1

SEMIX303GB12VS 数据手册

SEMiX303GB12Vs

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

I_C

1200

448

342

300

900

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3xI_Cnom

V_CC= 600 V

-20 ... 20

SEMiX^®3s

_GE≤ 15 V

_CES≤ 1200 V

T_j= 125 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

327

244

300

T_j= 175 °C

SEMiX303GB12Vs

Features

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 3xI_Fnom

900

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

1485

-40 ... 175

• Homogeneous Si

°C

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability

• UL recognised file no. E63532

Module

I_t(RMS)

T_stg

T_terminal= 80 °C

600

-40 ... 125

4000

°C

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Typical Applications*

• AC inverter drives

• UPS

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

• Electronic Welding

min.

typ.

max.

Unit

Remarks

• Case temperature limited to T_C=125°C

max.

I_C= 300 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.75

2.2

2.5

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

• Product reliability results are valid for

T_j=150°C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.94

0.88

2.7

4.4

1.04

0.98

3.9

5.1

6.5

m



• Dynamic values apply to the

following combination of resistors:

_Gon,main= 1,0 

_Goff,main= 1,0 

_G,X= 2,2 

V_GE= 15 V

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 12 mA

T_j= 25 °C

5.5

_E,X= 1,0 

0.1

0.3

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

E_on

t_d(off)

t_f

18.0

1.77

3300

2.50

470

26.5

665

109

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 300 A

_GE= ±15 V

_{G on}= 2.1 

_{G off}= 2.1 

di/dt_on= 4200 A/µs

di/dt_off= 2600 A/µs

du/dt_off= 6600 V/

µs

T_j= 150 °C

E_off

36.3

R_th(j-c)

per IGBT

0.1

K/W

Rev. 2 – 16.02.2011

12 3 4 5

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