Datasheet > SEMiX303GB17E4p

SEMiX303GB17E4p

更新时间： 2023-12-06 20:08:26

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	676K
描述
IGBT Modules SEMiX 3p (150x62x17)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SEMiX303GB17E4p 数据手册

SEMiX303GB17E4p

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1700

487

377

300

900

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

-20 ... 20

SEMiX^®3p

Trench IGBT Modules

SEMiX303GB17E4p

Features*

V_CC= 1000 V

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

_CES≤ 1700 V

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1700

349

258

600

1755

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_FRM

I_FSM

T_j

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

• Homogeneous Si

-40 ... 175

°C

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability

• Press-fit pins as auxiliary contacts

• UL recognized, file no. E63532

Module

I_t(RMS)

T_stg

600

-40 ... 125

4000

°C

module without TIM

AC sinus 50Hz, t = 1 min

V_isol

Typical Applications

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

• AC inverter drives

• UPS

min.

typ.

max.

Unit

• Renewable energy systems

I_C= 300 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.90

2.29

2.20

2.60

Remarks

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

• Product reliability results are valid for

T_j=150°C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.80

0.70

3.7

5.3

5.8

0.90

0.80

4.3

6.0

6.4

mΩ

chiplevel

• V_isolbetween temperature sensor and

power section is only 2500V

V_GE= 15 V

chiplevel

• For storage and case temperature with

TIM see document “TP(*) SEMiX 3p”

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

V_GE= V_CE, I_C= 12 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1700 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

5.2

4.0

27.0

1.02

0.87

2400

2.5

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

t_d(on)

t_r

E_on

t_d(off)

t_f

V_CC= 900 V

T_j= 150 °C

270

630

160

_C= 300 A

_GE= +15/-15 V

_{G on}= 1 Ω

_{G off}= 1 Ω

di/dt_on= 5700 A/µs

di/dt_off= 1600 A/µs

dv/dt = 3300 V/µs

L_s= 25 nH

T_j= 150 °C

E_off

R_th(j-c)

R_th(c-s)

per IGBT

per IGBT (λ_grease=0.81 W/(m*K))

per IGBT, pre-applied phase change

material

0.08

K/W

0.029

0.02

R_th(c-s)

K/W

Rev. 1.0 – 22.07.2020

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与SEMiX303GB17E4p相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SEMiX303GB17E4s	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 3s (150x64x17)
SEMIX303GD12E4C	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX303GD12E4C_10	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX303GD12T4C	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX303GD12VC	SEMIKRON	获取价格	High short circuit capability
SEMiX305GD07E4	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX305MLI07E4	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 302A I(C), 650V V(BR)CES,
SEMiX305MLI12E4V2	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX305TMLI12E4B	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES,
SEMiX305TMLI17E4C	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)

与SEMiX303GB17E4p相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SEMiX303GB17E4p

SEMiX303GB17E4p 数据手册

与SEMiX303GB17E4p相关器件

与SEMiX303GB17E4p相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SEMiX303GB17E4p

SEMiX303GB17E4p 数据手册

与SEMiX303GB17E4p相关器件

与SEMiX303GB17E4p相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？