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SEMiX303GB17E4s

更新时间： 2023-12-06 20:08:21
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 287K
描述
IGBT Modules SEMiX 3s (150x64x17)

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SEMiX303GB17E4s 数据手册

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SEMiX303GB17E4s  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1700  
477  
369  
300  
900  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3xICnom  
-20 ... 20  
SEMiX® 3s  
VCC = 1000 V  
VGE ≤ 15 V  
VCES ≤ 1700 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
1700  
311  
229  
300  
600  
V
A
A
A
A
SEMiX303GB17E4s  
Features  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 2xIFnom  
ꢀ Homogeneous Si  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
1755  
-40 ... 175  
A
°C  
ꢀ Trench = Trenchgate technology  
ꢀ VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
ꢀ High short circuit capability  
ꢀ UL recognized, file no. E63532  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
600  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
Typical Applications*  
Visol  
ꢀ AC inverter drives  
ꢀ UPS  
Characteristics  
ꢀ Electronic Welding  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Remarks  
ꢀ Case temperature limited to TC=125°C  
max.  
IC = 300 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.90  
2.29  
2.20  
2.60  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
ꢀ Product reliability results are valid for  
Tj=150°C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.8  
0.7  
3.7  
5.3  
5.8  
0.9  
0.8  
4.3  
6
6.4  
4
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
ꢀ Dynamic values apply to the  
following combination of resistors:  
chiplevel  
R
R
R
R
Gon,main = 2,4 Ω  
Goff,main = 2,4 Ω  
G,X = 2,2 Ω  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 12 mA  
Tj = 25 °C  
V
5.2  
E,X = 0,5 Ω  
VGE = 0 V  
CE = 1700 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
Eon  
td(off)  
tf  
27  
1.02  
0.87  
2400  
2.50  
400  
50  
140  
860  
160  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
VCC = 1200 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
ns  
I
C = 300 A  
ns  
mJ  
ns  
V
GE = +15/-15 V  
R
R
G on = 3.3 Ω  
G off = 3.3 Ω  
di/dton = 6250 A/µs  
di/dtoff = 1550 A/µs  
du/dt = 5050 V/µs  
Ls = 30 nH  
ns  
Tj = 150 °C  
Eoff  
125  
mJ  
GB  
© by SEMIKRON  
Rev. 3 – 20.02.2015  
1
12345

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与SEMiX303GB17E4s相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SEMIX303GD12E4C SEMIKRON

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 		Trench IGBT Modules
SEMIX303GD12E4C_10 SEMIKRON

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 		Trench IGBT Modules
SEMIX303GD12T4C SEMIKRON

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 		Trench IGBT Modules
SEMIX303GD12VC SEMIKRON

获取价格

 		High short circuit capability
SEMiX305GD07E4 SEMIKRON

获取价格

 		IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX305MLI07E4 SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 302A I(C), 650V V(BR)CES,
SEMiX305MLI12E4V2 SEMIKRON

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 		IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES,
SEMiX305TMLI17E4C SEMIKRON

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 		IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX341D SEMIKRON

获取价格

 		Bridge Rectifier Module (uncontrolled)

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