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SEMiX303GB12M7p PDF预览

SEMiX303GB12M7p

更新时间： 2023-12-06 20:00:39

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	672K
描述
IGBT Modules SEMiX 3p (150x62x17)

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SEMiX303GB12M7p

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

433

331

300

600

V

A

A

A

A

V

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

-20 ... 20

SEMiX^®3p

Trench IGBT Modules

SEMiX303GB12M7p

Features*

V_CC= 800 V

V

V

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

t_psc

8

µs

°C

_CES≤ 1200 V

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1200

361

270

600

1485

V

A

A

A

A

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_FRM

I_FSM

T_j

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

• Homogeneous Si

-40 ... 175

°C

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

• High overload capability

• Low loss high density IGBTs

• Press-fit pins as auxiliary contacts

• UL recognized, file no. E63532

Module

I_t(RMS)

T_stg

600

-40 ... 125

4000

A

°C

V

module without TIM

AC sinus 50Hz, t = 1 min

V_isol

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

Typical Applications

min.

typ.

max.

Unit

• AC inverter drives

• UPS

• Renewable energy systems

I_C= 300 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.55

1.80

1.85

V

V

V

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

Remarks

chiplevel

• Product reliability results are valid for

T_j=150°C (recommended

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.84

0.72

2.4

3.6

6

0.90

3.2

V

V

mΩ

mΩ

V

mA

nF

nF

nF

nC

Ω

ns

ns

mJ

ns

ns

chiplevel

T

_j,op=-40...+150°C)

V_GE= 15 V

chiplevel

• V_isolbetween temperature sensor and

power section is only 2500V

• For storage and case temperature with

TIM see document “TP(*) SEMiX 3p”

V_CE= 10 V, I_C= 30 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1200 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

5.4

6.6

3.0

63.0

1.96

0.84

3000

0.3

200

38

15

V_CE= 10 V

f = 1 MHz

f = 1 MHz

V

_GE= 0 V

V_GE= -8V ... + 15V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

T_j= 150 °C

T_j= 150 °C

T_j= 150 °C

T_j= 150 °C

I

_C= 300 A

V

_GE= +15/-15 V

E_on

t_d(off)

t_f

R

R

_{G on}= 1.3 Ω

_{G off}= 1.3 Ω

330

95

di/dt_on= 8800 A/µs

di/dt_off= 2700 A/µs

dv/dt = 5100 V/µs

L_s= 25 nH

T_j= 150 °C

E_off

32

mJ

R_th(j-c)

R_th(c-s)

per IGBT

per IGBT (λ_grease=0.81 W/(m*K))

0.113

K/W

K/W

0.03

per IGBT, pre-applied phase change

material

R_th(c-s)

0.021

K/W

GB

© by SEMIKRON

Rev. 3.0 – 23.09.2021

1

12 3 4 5 6

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