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SEMIX303GB12T4S

更新时间： 2024-02-24 02:24:02

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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Trench IGBT Modules

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SEMIX303GB12T4S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20
针数：	20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	465 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X20
元件数量：	2	端子数量：	20
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SEMIX303GB12T4S 数据手册

SEMiX 303GB12T4s

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16-07-2007 SCH

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SEMIX303GB12VS	SEMIKRON	获取价格	High short circuit capability
SEMiX303GB17E4p	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 3p (150x62x17)
SEMiX303GB17E4s	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 3s (150x64x17)
SEMIX303GD12E4C	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX303GD12E4C_10	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX303GD12T4C	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX303GD12VC	SEMIKRON	获取价格	High short circuit capability
SEMiX305GD07E4	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX305MLI07E4	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 302A I(C), 650V V(BR)CES,
SEMiX305MLI12E4V2	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)

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