Datasheet > SEMIX302GB176HDS_08

SEMIX302GB176HDS_08

更新时间： 2024-01-29 07:42:28

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	373K
描述
Trench IGBT Modules

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SEMIX302GB176HDS_08 数据手册

浏览型号SEMIX302GB176HDS_08的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号SEMIX302GB176HDS_08的Datasheet PDF文件第3页

SEMiX302GB176HDs

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1700

308

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_C

T_j= 150 °C

219

I_Cnom

I_CRM

V_GES

200

I_CRM= 2xI_Cnom

400

-20 ... 20

SEMiX^®2s

V_CC= 1000 V

V_GE≤ 20 V

T_j= 125 °C

t_psc

µs

°C

V_CES≤ 1700 V

Trench IGBT Modules

T_j

-55 ... 150

Inverse diode

SEMiX302GB176HDs

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

389

262

T_j= 150 °C

Preliminary Data

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

200

Features

• Homogeneous Si

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

I_FRM= 2xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

400

2000

-40 ... 150

°C

Module

I_t(RMS)

T_stg

• UL recognised file no. E63532

600

-40 ... 125

4000

°C

Typical Applications

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

• AC inverter drives

• UPS

• Electronic welders

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 200 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

2.45

2.9

_GE= 15 V

T_j= 125 °C

2.45

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

V_CE0

r_CE

1.2

1.1

6.3

9.0

6.4

0.3

0.9

5.0

7.8

5.8

0.1

mΩ

V_GE= 15 V

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 8 mA

V_GE= 0 V

5.2

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

f = 1 MHz

Ω

_CE= 1700 V

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

17.6

0.73

0.58

1866

3.75

225

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_CC= 1200 V

I_C= 200 A

T_j= 125 °C

E_on

130

665

105

_{G on}= 6.5 Ω

_{G off}= 6.5 Ω

t_d(off)

t_f

E_off

K/W

R_th(j-c)

R_th(j-s)

per IGBT

0.1

Rev. 21 – 02.12.2008

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SEMIX302GB176HDS_08相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SEMIX302GB176HDS_11	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMiX302GB17E4s	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 2s (117x64x17)
SEMIX302KD	SEMIKRON	获取价格	Rectifier Diode Module
SEMIX302KD16S	SEMIKRON	获取价格	Rectifier Diode Module
SEMIX302KH	SEMIKRON	获取价格	Rectifier (Thryr./Diode) Module
SEMIX302KH16S	SEMIKRON	获取价格	Rectifier Thyr./Diode Module
SEMIX302KT	SEMIKRON	获取价格	Rectifier (Thryr./Diode) Module
SEMIX302KT16S	SEMIKRON	获取价格	Rectifier Thyristor Module
SEMiX303GB12E4I50p	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 3p shunt (150x62x17)
SEMIX303GB12E4P	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor