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SEMIX302GB176HD

更新时间: 2024-01-23 18:13:14
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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2页 419K
描述
Trench IGBT Modules

SEMIX302GB176HD 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数:11Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.73外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):320 A集电极-发射极最大电压:1700 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码:R-XUFM-X11
JESD-609代码:e2元件数量:2
端子数量:11最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):770 ns
标称接通时间 (ton):270 nsBase Number Matches:1

SEMIX302GB176HD 数据手册

 浏览型号SEMIX302GB176HD的Datasheet PDF文件第2页 
SEMiX 302GB176HD  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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15-06-2005 SEN  
© by SEMIKRON  

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