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RN1107CT

更新时间： 2024-02-20 11:45:45
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 驱动器开关
页数 文件大小 规格书
6页 157K
描述
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

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RN1107CT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RN1107CT 数据手册

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RN1107CT ~ RN1109CT  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)  
RN1107CT,RN1108CT,RN1109CT  
Switching Applications  
Unit: mm  
Inverter Circuit Applications  
0.6±0.05  
Interface Circuit Applications  
0.5±0.03  
Driver Circuit Applications  
３
•
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the number of  
parts, which enable the manufacture of ever more compact  
equipment and saves assembly cost.  
１
２
•
Complementary to RN2107CT to RN2109CT  
0.05±0.03  
0.35±0.02  
0.15±0.03  
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
C
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
1.BASE  
2.EMITTER  
3.COLLECTOR  
RN1107CT  
RN1108CT  
RN1109CT  
10  
22  
47  
47  
47  
22  
R1  
B
CST3  
JEDEC  
JEITA  
―
―
E
TOSHIBA  
2-1J1A  
Weight: 0.75 mg (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
V
V
20  
V
V
CBO  
CEO  
RN1107CT to RN1109CT  
Collector-emitter voltage  
20  
RN1107CT  
6
Emitter-base voltage  
V
V
RN1108CT  
RN1109CT  
7
15  
EBO  
Collector current  
I
50  
mA  
mW  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
50  
C
RN1107CT to RN1109CT  
T
150  
j
T
stg  
−55 to 150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e.operatingtemperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2009-04-13  
123456

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与RN1107CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1107F ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
RN1107FS TOSHIBA

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 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN1107FV TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1E1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera
RN1107MFV TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SMALL, VESM, 2-1L1A, 3 PI
RN1107MFV(TL3MAA) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN1107MFV(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms
RN1108 TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1108(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General
RN1108(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
RN1108(TE85R) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General

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