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PMEG3010AESA

更新时间： 2024-09-16 11:11:11

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安世 - NEXPERIA		二极管
页数	文件大小	规格书
12页	231K
描述
30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction

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PMEG3010AESA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DSN1006U-2, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.51
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PBCC-N2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.69 W
参考标准：	IEC-60134	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向恢复时间：	0.0035 µs	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

PMEG3010AESA 数据手册

PMEG3010AESA

30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

19 February 2020

Product data sheet

1. General description

Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an integrated

guard ring for stress protection in a leadless ultra small DSN1006U-2 (SOD995) Surface-Mounted

Device (SMD) package.

2. Features and benefits

•

Average forward current: I_F(AV)≤ 1 A

•

Reverse voltage: V_R≤ 30 V

Low forward voltage, typical: V_F= 415 mV

Low reverse current, typical: I_R= 300 µA

Package height typ. 270 µm

3. Applications

•

Low voltage rectification

High efficiency DC-to-DC conversion

Switch mode power supply

Low power consumption applications

Ultra high-speed switching

LED backlight for mobile application

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_F(AV)

average forward

current

δ = 0.5; square wave; f = 20 kHz; T_sp

145 °C

≤

V_R

V_F

reverse voltage

forward voltage

T_j= 25 °C

I_F= 1 A; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;

T_j= 25 °C

415

480

I_R

reverse current

V_R= 20 V; t_p≤ 3 ms; δ ≤ 0.3;

T_j= 25 °C

255

µA

V_R= 30 V; t_p≤ 3 ms; δ ≤ 0.3;

T_j= 25 °C

300

1250 µA

12 3 4 5 6 7...12

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