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PMEG3010BER

更新时间： 2024-09-16 11:14:43
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 277K
描述
30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction

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PMEG3010BER 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.62
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.95 W
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

PMEG3010BER 数据手册

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PMEG3010BER  
30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifier  
1 January 2023  
Product data sheet  
1. General description  
Planar Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in  
a SOD123W small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
•
Average forward current: IF(AV) ≤ 1 A  
•
•
•
•
Reverse voltage: VR ≤ 30 V  
Low forward voltage  
High power capability due to clip-bond technology  
Small and flat lead SMD plastic package  
3. Applications  
•
•
•
•
•
Low voltage rectification  
High efficiency DC-to-DC conversion  
Switch Mode Power Supply (SMPS)  
Reverse polarity protection  
Low power consumption applications  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
IF(AV)  
average forward  
current  
δ = 0.5; f = 20 kHz; square wave; Tsp  
140 °C  
≤
-
-
1
A
VR  
VF  
IR  
reverse voltage  
forward voltage  
reverse current  
Tj = 25 °C  
-
-
-
-
30  
V
IF = 1 A; Tj = 25 °C  
VR = 30 V; Tj = 25 °C  
405  
15  
450  
50  
mV  
µA  
5. Pinning information  
Table 2. Pinning information  
Pin  
1
Symbol  
Description  
cathode[1]  
anode  
Simplified outline  
Graphic symbol  
K
A
K
A
1
2
2
sym001  
CFP3 (SOD123W)  
[1] The marking bar indicates the cathode.  
 
 
 
 
 
 
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PMEG3010BER,115 NXP

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