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PMEG3010EP

更新时间： 2024-11-07 11:12:23

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安世 - NEXPERIA		/
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12页	1457K
描述
30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction

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PMEG3010EP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.58
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.625 W	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

PMEG3010EP 数据手册

PMEG3010EP

30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifier

1 January 2023

Product data sheet

1. General description

Planar Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in

a SOD128 small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Average forward current: I_F(AV)≤ 1 A

•

Reverse voltage: V_R≤ 30 V

Low forward voltage

High power capability due to clip-bond technology

Small and flat lead SMD plastic package

Suitable for both reflow and wave soldering

3. Applications

•

Low voltage rectification

High efficiency DC-to-DC conversion

Switch Mode Power Supply (SMPS)

Reverse polarity protection

Low power consumption applications

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_F(AV)

average forward

current

δ = 0.5; f = 20 kHz; square wave; T_amb≤ [1]

130 °C

δ = 0.5; f = 20 kHz; square wave; T_sp

145 °C

≤

V_R

V_F

I_R

reverse voltage

forward voltage

reverse current

T_j= 25 °C

I_F= 1 A; T_j= 25 °C

V_R= 30 V; T_j= 25 °C

320

0.6

360

1.5

[1] Device mounted on a ceramic PCB, Al₂O₃, standard footprint.

12 3 4 5 6 7...12

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