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PMEG3010ER,115

更新时间： 2024-11-06 21:18:07

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管
页数	文件大小	规格书
13页	81K
描述
PMEG3010ER - 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier SOD-123 2-Pin

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PMEG3010ER,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOD-123	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.72	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.57 W	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

PMEG3010ER,115 数据手册

PMEG3010ER

1 A low V_FMEGA Schottky barrier rectiﬁer

Rev. 01 — 29 December 2008

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Planar Maximum Efﬁciency General Application (MEGA) Schottky barrier rectiﬁer with an

integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD123W small and ﬂat

lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

1.2 Features

I Average forward current: I_F(AV)≤ 1 A

I Reverse voltage: V_R≤ 30 V

I Low forward voltage

I High power capability due to clip-bond technology

I AEC-Q101 qualiﬁed

I Small and ﬂat lead SMD plastic package

1.3 Applications

I Low voltage rectiﬁcation

I High efﬁciency DC-to-DC conversion

I Switch Mode Power Supply (SMPS)

I Reverse polarity protection

I Low power consumption applications

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

T_j= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_F(AV)

average forward current

square wave;

δ = 0.5;

f = 20 kHz

[1]

_amb≤ 130 °C

_sp≤ 145 °C

V_R

V_F

I_R

reverse voltage

forward voltage

reverse current

360

1.5

I_F= 1 A

320

0.6

V_R= 30 V

[1] Device mounted on a ceramic Printed-Circuit Board (PCB), Al₂O₃, standard footprint.

12 3 4 5 6 7...13

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PMEG3010ER,115 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PMEG2010ER	NXP	类似代替	1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
EC11FS4	KYOCERA AVX	功能相似	Fast recovery diodes are PN junction diodes with the same structure and function as genera
PMEG3010EJ	NXP	功能相似	1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers

与PMEG3010ER,115相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PMEG3010ER-Q	NEXPERIA	获取价格	30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction
PMEG3010ESB	NEXPERIA	获取价格	30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction
PMEG3010ET	NXP	获取价格	1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
PMEG3010ET	NEXPERIA	获取价格	1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiersProduction
PMEG3010EXE	NEXPERIA	获取价格	30 V, 1 A Schottky barrier rectifierProduction
PMEG3010EXE-Q	NEXPERIA	获取价格	30 V, 1 A Schottky barrier rectifierProduction
PMEG3015EH	NXP	获取价格	Low VCEsat (BISS) transistors
PMEG3015EH	PHILIPS	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1.5A, 30V V(RRM)
PMEG3015EH	KEXIN	获取价格	Schottky Diodes
PMEG3015EH,115	NXP	获取价格	PMEG3015EH; PMEG3015EJ - 30 V, 1.5 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD-123

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