是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOD-123 | 包装说明: | PLASTIC PACKAGE-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 7.52 |
应用: | EFFICIENCY | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.16 V | JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 9 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 1.5 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大功率耗散: | 0.83 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 30 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PMEG3015EH | NXP |
完全替代 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PMEG3015EH_10 | NXP |
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30 V, 1.5 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers | |
PMEG3015EH-Q | NEXPERIA |
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30 V, 1.5 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG3015EJ | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors | |
PMEG3015EJ,115 | NXP |
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PMEG3015EH; PMEG3015EJ - 30 V, 1.5 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD 2-P | |
PMEG3015EJ-Q | NEXPERIA |
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30 V, 1.5 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG3015EV | NXP |
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30 V, 1.5 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifier in SOT666 package | |
PMEG3015EV | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 1.5 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG3015EV,115 | NXP |
获取价格 |
PMEG3015EV - 30 V, 1.5 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifier in SOT666 package SO | |
PMEG3020BEP | NXP |
获取价格 |
2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier | |
PMEG3020BEP | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 2 A low VF Schottky barrier rectifierProduction |