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PMEG3015EJ

更新时间: 2024-11-06 06:04:23
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恩智浦 - NXP 晶体二极管晶体管光电二极管功效PC
页数 文件大小 规格书
12页 956K
描述
Low VCEsat (BISS) transistors

PMEG3015EJ 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SC-90包装说明:PLASTIC, SC-90, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.57应用:EFFICIENCY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.16 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:9 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:1.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.83 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30

PMEG3015EJ 数据手册

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