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PMEG3015EH

更新时间: 2024-11-09 06:04:23
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恩智浦 - NXP 晶体整流二极管晶体管光电二极管功效PC
页数 文件大小 规格书
12页 956K
描述
Low VCEsat (BISS) transistors

PMEG3015EH 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:PLASTIC PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.4Is Samacsys:N
应用:EFFICIENCY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.16 VJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:9 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.83 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

PMEG3015EH 数据手册

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PMEG3015EH 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PMEG3015EH,115 NXP

完全替代

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Low VCEsat (BISS) transistors
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PMEG3015EH; PMEG3015EJ - 30 V, 1.5 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD 2-P
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