5秒后页面跳转
PMEG3010ET PDF预览

PMEG3010ET

更新时间: 2024-11-07 11:11:15
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 654K
描述
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiersProduction

PMEG3010ET 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.6
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.28 W参考标准:IEC-60134
最大重复峰值反向电压:30 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

PMEG3010ET 数据手册

 浏览型号PMEG3010ET的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PMEG3010ET的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PMEG3010ET的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PMEG3010ET的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PMEG3010ET的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PMEG3010ET的Datasheet PDF文件第7页 
PMEG3010EH; PMEG3010EJ;  
PMEG3010ET  
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers  
Rev. 04 — 20 March 2007  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifiers with an  
integrated guard ring for stress protection, encapsulated in small Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic packages.  
Table 1.  
Product overview  
Type number  
Package  
Nexperia  
SOD123F  
SOD323F  
SOT23  
Configuration  
JEITA  
JEDEC  
PMEG3010EH  
PMEG3010EJ  
PMEG3010ET  
-
-
single  
single  
single  
SC-90  
-
-
TO-236AB  
1.2 Features  
I Forward current: IF 1 A  
I Reverse voltage: VR 30 V  
I Very low forward voltage  
I Small SMD plastic packages  
1.3 Applications  
I Low voltage rectification  
I High efficiency DC-to-DC conversion  
I Switch mode power supply  
I Reverse polarity protection  
I Low power consumption applications  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
IF  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
sp 55 °C  
Min  
Typ  
Max  
1
Unit  
A
forward current  
reverse voltage  
forward voltage  
T
-
-
-
VR  
-
30  
V
[1]  
VF  
IF = 1000 mA  
-
450  
560  
mV  
[1] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.  

与PMEG3010ET相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PMEG3010EXE NEXPERIA

获取价格

30 V, 1 A Schottky barrier rectifierProduction
PMEG3010EXE-Q NEXPERIA

获取价格

30 V, 1 A Schottky barrier rectifierProduction
PMEG3015EH NXP

获取价格

Low VCEsat (BISS) transistors
PMEG3015EH PHILIPS

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1.5A, 30V V(RRM)
PMEG3015EH KEXIN

获取价格

Schottky Diodes
PMEG3015EH,115 NXP

获取价格

PMEG3015EH; PMEG3015EJ - 30 V, 1.5 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD-123
PMEG3015EH_10 NXP

获取价格

30 V, 1.5 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
PMEG3015EH-Q NEXPERIA

获取价格

30 V, 1.5 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction
PMEG3015EJ NXP

获取价格

Low VCEsat (BISS) transistors
PMEG3015EJ,115 NXP

获取价格

PMEG3015EH; PMEG3015EJ - 30 V, 1.5 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD 2-P