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PMEG3010CEJ

更新时间: 2024-09-15 06:04:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体整流二极管晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 956K
描述
Low VCEsat (BISS) transistors

PMEG3010CEJ 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-90
包装说明:PLASTIC, SC-90, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.32
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.24 VJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:10 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.35 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

PMEG3010CEJ 数据手册

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