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PMEG3010EB

更新时间： 2024-09-16 11:13:39

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	180K
描述
30 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction

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PMEG3010EB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SC-79, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.6	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

PMEG3010EB 数据手册

PMEG3010EB

1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier

7 April 2021

Product data sheet

1. General description

Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an integrated

guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD523 (SC-79) ultra small and flat lead

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Forward current: I_F≤ 1 A

•

Reverse voltage: V_R≤ 30 V

Very low forward voltage

Ultra small and flat lead SMD plastic package

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Low voltage rectification

High efficiency DC-to-DC conversion

Switch mode power supply

Reverse polarity protection

Low power consumption applications

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_F

forward current

reverse voltage

forward voltage

T_sp≤ 55 °C

V_R

V_F

I_F= 1 A; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02; pulsed;

T_amb= 25 °C

610

680

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

cathode[1]

anode

Simplified outline

Graphic symbol

sym001

SC-79 (SOD523)

[1] The marking bar indicates the cathode.

12 3 4 5 6 7 8

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