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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.62 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.35 W | 参考标准： | IEC-60134 |
| 最大重复峰值反向电压： | 30 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMEG3010EJ,115 | NXP |
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PMEG3010EH; PMEG3010EJ; PMEG3010ET - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD |
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| PMEG3010EJ-Q | NEXPERIA |
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1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG3010EP | NXP |
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1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier |
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| PMEG3010EP | NEXPERIA |
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30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG3010EP115 | NXP |
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Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an in |
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| PMEG3010EP-Q | NEXPERIA |
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30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG3010ER | NXP |
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1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier |
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| PMEG3010ER | NEXPERIA |
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30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG3010ER,115 | NXP |
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PMEG3010ER - 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier SOD-123 2-Pin |
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| PMEG3010ER-Q | NEXPERIA |
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30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction |
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