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PMEG3010EGW

更新时间： 2024-09-16 11:14:47

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	676K
描述
30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction

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PMEG3010EGW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.61	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.4 W	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

PMEG3010EGW 数据手册

PMEG3010EGW

30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

5 December 2016

Product data sheet

1. General description

Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an

integrated guard ring for stress protection encapsulated in small SOD123 Surface-Mounted Device

(SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Forward current: I_F≤ 1 A

•

Reverse voltage: V_R≤ 30 V

Low forward voltage typ. V_F= 450 mV

Low reverse current typ. I_R= 40 µA

Small SMD plastic package

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Low voltage rectification

High efficiency DC-to-DC conversion

Switch mode power supply

Reverse polarity protection

Low power consumption applications

Automotive applications

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

T_sp≤ 55 °C

T_j= 25 °C

Min

Typ

Max

Unit

I_F

forward current

reverse voltage

forward voltage

V_R

V_F

I_F= 1 A; t_p≤ 300 µs; δ = 0.02 ;

T_j= 25 °C

450

560

[1]

I_R

reverse current

V_R= 30 V; pulsed; T_j= 25 °C

150

µA

[1] Very short test pulse to prevent junction self-heating.

12 3 4 5 6 7...12

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