是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 1.6 |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 1 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.375 W |
参考标准: | IEC-60134 | 最大重复峰值反向电压: | 30 V |
表面贴装: | YES | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PMEG3010EH,115 | NXP |
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PMEG3010EH; PMEG3010EJ; PMEG3010ET - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD- | |
PMEG3010EH_07 | NXP |
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1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers | |
PMEG3010EH-Q | NEXPERIA |
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1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG3010EJ | NXP |
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1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers | |
PMEG3010EJ | NEXPERIA |
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1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiersProduction | |
PMEG3010EJ,115 | NXP |
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PMEG3010EH; PMEG3010EJ; PMEG3010ET - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD | |
PMEG3010EJ-Q | NEXPERIA |
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1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG3010EP | NXP |
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1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier | |
PMEG3010EP | NEXPERIA |
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30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG3010EP115 | NXP |
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Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an in |