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| Source Url Status Check Date： | 2013-06-14 00:00:00 | 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.32 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.24 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 9 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMEG3010CEH,115 | NXP |
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PMEG3010CEH; PMEG3010CEJ - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD-123 2-Pin |
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| PMEG3010CEH-Q | NEXPERIA |
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30 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG3010CEJ | NXP |
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Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PMEG3010CEJ | NEXPERIA |
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30 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG3010CEJ-Q | NEXPERIA |
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30 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG3010EB | NXP |
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1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier |
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| PMEG3010EB | NEXPERIA |
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30 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG3010EB-Q | NEXPERIA |
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30 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG3010EGW | NEXPERIA |
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30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG3010EGW-Q | NEXPERIA |
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30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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