5秒后页面跳转
PMEG3010BER PDF预览

PMEG3010BER

更新时间: 2024-09-15 10:07:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 92K
描述
1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

PMEG3010BER 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:PLASTIC PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.6
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.95 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:PURE TIN
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

PMEG3010BER 数据手册

 浏览型号PMEG3010BER的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PMEG3010BER的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PMEG3010BER的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PMEG3010BER的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PMEG3010BER的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PMEG3010BER的Datasheet PDF文件第7页 
PMEG3010BER  
1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier  
Rev. 01 — 20 April 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an  
integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD123W small and flat  
lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
1.2 Features  
I Average forward current: IF(AV) 1 A  
I Reverse voltage: VR 30 V  
I Low forward voltage  
I High power capability due to clip-bond technology  
I AEC-Q101 qualified  
I Small and flat lead SMD plastic package  
1.3 Applications  
I Low voltage rectification  
I High efficiency DC-to-DC conversion  
I Switch Mode Power Supply (SMPS)  
I Reverse polarity protection  
I Low power consumption applications  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Tj = 25 °C unless otherwise specified.  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
IF(AV)  
average forward current  
square wave;  
δ = 0.5;  
f = 20 kHz  
[1]  
T
T
amb 120 °C  
sp 140 °C  
-
-
-
-
-
-
1
A
-
1
A
VR  
VF  
IR  
reverse voltage  
forward voltage  
reverse current  
-
30  
450  
50  
V
IF = 1 A  
405  
15  
mV  
µA  
VR = 30 V  
[1] Device mounted on a ceramic Printed-Circuit Board (PCB), Al2O3, standard footprint.  

PMEG3010BER 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PMEG3010BEP NXP

完全替代

1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
PMEG6010ER NXP

类似代替

1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

与PMEG3010BER相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PMEG3010BER,115 NXP

获取价格

PMEG3010BER - 1 A low Vf MEGA Schottky barrier rectifier SOD-123 2-Pin
PMEG3010BER-Q NEXPERIA

获取价格

30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction
PMEG3010BEV NXP

获取价格

1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier
PMEG3010BEV,115 NXP

获取价格

PMEGXX10BEA; PMEGXX10BEV - Very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOT 6-Pin
PMEG3010CEH NXP

获取价格

1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
PMEG3010CEH NEXPERIA

获取价格

30 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction
PMEG3010CEH,115 NXP

获取价格

PMEG3010CEH; PMEG3010CEJ - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD-123 2-Pin
PMEG3010CEH-Q NEXPERIA

获取价格

30 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction
PMEG3010CEJ NXP

获取价格

Low VCEsat (BISS) transistors
PMEG3010CEJ NEXPERIA

获取价格

30 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction