是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | PLASTIC PACKAGE-2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.6 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 1 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.95 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | PURE TIN |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PMEG3010BEP | NXP |
完全替代 |
1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier | |
PMEG6010ER | NXP |
类似代替 |
1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PMEG3010BER,115 | NXP |
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PMEG3010BER - 1 A low Vf MEGA Schottky barrier rectifier SOD-123 2-Pin | |
PMEG3010BER-Q | NEXPERIA |
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30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG3010BEV | NXP |
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1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier | |
PMEG3010BEV,115 | NXP |
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PMEGXX10BEA; PMEGXX10BEV - Very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOT 6-Pin | |
PMEG3010CEH | NXP |
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1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers | |
PMEG3010CEH | NEXPERIA |
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30 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG3010CEH,115 | NXP |
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PMEG3010CEH; PMEG3010CEJ - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD-123 2-Pin | |
PMEG3010CEH-Q | NEXPERIA |
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30 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG3010CEJ | NXP |
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Low VCEsat (BISS) transistors | |
PMEG3010CEJ | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction |