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PMEG3010AESB

更新时间： 2024-09-16 11:11:35

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安世 - NEXPERIA		二极管
页数	文件大小	规格书
15页	695K
描述
30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction

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PMEG3010AESB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DSN1006-2, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PBCC-N2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.525 W
参考标准：	IEC-60134	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向恢复时间：	0.0035 µs	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30

PMEG3010AESB 数据手册

PMEG3010AESB

30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

8 January 2016

Product data sheet

1. General description

Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an

integrated guard ring for stress protection in a leadless ultra small DSN1006-2 (SOD993)

Surface-Mounted Device (SMD) package.

2. Features and benefits

Average forward current: I_F(AV)≤ 1 A

Reverse voltage: V_R≤ 30 V

•

Low forward voltage, typical: V_F= 415 mV

Low reverse current, typical: I_R= 300 µA

Package height typ. 270 µm

3. Applications

Low voltage rectification

High efficiency DC-to-DC conversion

Switch mode power supply

Low power consumption applications

Ultra high-speed switching

LED backlight for mobile application

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_F(AV)

average forward

current

δ = 0.5 ; f = 20 kHz; T_sp≤ 145 °C;

square wave

V_R

V_F

reverse voltage

forward voltage

T_j= 25 °C

I_F= 1 A; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ;

T_j= 25 °C

415

480

I_R

reverse current

V_R= 20 V; t_p≤ 3 ms; δ ≤ 0.3 ;

T_j= 25 °C

255

µA

V_R= 30 V; t_p≤ 3 ms; δ ≤ 0.3 ;

T_j= 25 °C

300

1250 µA

12 3 4 5 6 7...15

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