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NTR4171PT1G

更新时间： 2024-01-28 13:12:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 109K
描述
Power MOSFET −30 V, −3.5 A, Single P−Channel, SOT−23

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NTR4171PT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.67配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.2 A
最大漏极电流 (ID)：2.2 A最大漏源导通电阻：0.075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTR4171PT1G 数据手册

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NTR4171P  
Power MOSFET  
−30 V, −3.5 A, Single P−Channel, SOT−23  
Features  
• Low R  
at Low Gate Voltage  
• Low Threshold Voltage  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• High Power and Current Handling Capability  
• This is a Pb−Free Device  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
75 mW @ −10 V  
110 mW @ −4.5 V  
150 mW @ −2.5 V  
−2.2 A  
−1.8 A  
−1.0 A  
Applications  
• Load Switch  
−30 V  
• Optimized for Battery and Load Management Applications in  
Portable Equipment like Cell Phones, PDA’s, Media Players, etc.  
P−CHANNEL MOSFET  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
S
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
V
DSS  
−30  
12  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
V
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
T = 25°C  
−2.2  
−1.5  
−3.5  
0.48  
G
A
Steady  
State  
T = 85°C  
A
I
A
D
D
t ≤ 5 s  
T = 25°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
P
W
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
D
t ≤ 5 s  
1.25  
3
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
−15.0  
A
3
p
DM  
Drain  
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
T
−55 to  
150  
J
°C  
2
stg  
TRFMG  
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
Source Current (Body Diode)  
I
S
−1.0  
mA  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
1
Gate  
2
Source  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
TRF  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
G
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
260  
100  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient − t ≤ 10 s (Note 1)  
R
°C/W  
q
JA  
†
R
q
JA  
Device  
Package  
Shipping  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
NTR4171PT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000/Tape & Reel  
[2 oz] including traces)  
NTR4171PT3G  
SOT−23  
10000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
June, 2008 − Rev. 0  
NTR4171P/D  
 
123456

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NTR4171PT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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