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NTR4502PT1G

更新时间: 2024-05-23 22:23:31
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友台半导体 - UMW /
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9页 1609K
描述
种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):-3A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:85mΩ@-10V

NTR4502PT1G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.18
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):1.13 A
最大漏源导通电阻:0.2 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NTR4502PT1G 数据手册

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R
UMW  
NTR4502  
P-Channel 30-V(D-S) MOSFET  
SOT23  
ID  
V(BR)DSS  
RDS(on)MAX  
\85mΩ@  
-10 V  
-4.5V  
-3.  
0A  
-30V  
@
145mΩ  
1. GATE  
General Description  
2. SOURCE  
3. DRAIN  
The UMW NTR4502PT1G uses advanced trench technology  
DRAIN to provide excellent  
RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for  
use as a load  
switch or in PWM applications.  
Equivalent Circuit  
Maximum ratings (Ta=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Units  
Drain-Source voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
ID  
-30  
±20  
V
V
Continuous Drain Current  
Drain Current-Pulsed  
-3.0  
A
IDM  
PD  
-24  
A
Power Dissipation  
300  
mW  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
Junction Temperature  
RθJA  
TJ  
417  
150  
Storage Temperature  
TSTG  
-55~ +150  
www.umw-ic.com  
1
友台半导体有限公司  

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