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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTR4502PT3G
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NTR4502PT3G

更新时间： 2024-11-19 06:00:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23

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NTR4502PT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.95 A最大漏极电流 (ID)：1.95 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTR4502PT3G 数据手册

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NTR4502P  
Power MOSFET  
−30 V, −1.95 A, Single, P−Channel,  
SOT−23  
Features  
http://onsemi.com  
• Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching  
V
R
TYP  
I
D
Max (Note 1)  
−1.95 A  
(BR)DSS  
DS(on)  
• Low R  
for Low Conduction Losses  
DS(ON)  
155 mW @ −10 V  
240 mW @ −4.5 V  
• SOT−23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm)  
• Pb−Free Packages are Available  
−30 V  
Applications  
• DC to DC Conversion  
P−Channel MOSFET  
S
• Load/Power Switch for Portables and Computing  
• Motherboard, Notebooks, Camcorders, Digital Camera’s, etc.  
• Battery Charging Circuits  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
D
V
−30  
20  
V
V
A
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
Drain Current (Note 1)  
t < 10 s T = 25°C  
I
D
−1.95  
−1.56  
1.25  
A
Drain  
3
T = 70°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
t < 10 s  
P
W
A
D
TR2 M G  
G
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
Continuous Drain Current Steady T = 25°C  
I
D
−1.13  
−0.90  
0.4  
A
2
1
Gate  
(Note 1)  
State  
Steady State  
t = 10 ms  
T = 70°C  
A
Source  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
W
D
TR2 = Device Code  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Pulsed Drain Current  
I
−6.8  
A
p
DM  
(Note: Microdot may be in either location)  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
150  
°C  
J
T
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Source Current (Body Diode)  
I
S
−1.25  
A
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8 in from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping†  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
NTR4502PT1  
SOT−23  
3000 / Tape & Reel  
Symbol  
Max  
300  
100  
Unit  
NTR4502PT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000 / Tape & Reel  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient – t = 10 s (Note 1)  
R
°C/W  
q
JA  
R
q
JA  
NTR4502PT3  
SOT−23  
10000 / Tape & Reel  
10000 / Tape & Reel  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq. pad size  
NTR4502PT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
(Cu area = 1.127 in sq. [1 oz] including traces).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
April, 2009 − Rev. 4  
NTR4502P/D  
 
12345

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NTR4502PT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTR4502PT1G ONSEMI

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NTR4502PT3 ONSEMI

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NTR4503N ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4503N TYSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N-Channel, SOT-23 Pb-Free Package is Available
NTR4503NT1 TYSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N-Channel, SOT-23 Pb-Free Package is Available
NTR4503NT1 ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N−Channel, SOT−23
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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
NTR4503NT3G TYSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N-Channel, SOT-23 Pb-Free Package is Available
NTR4503NT3G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4518NT1G ONSEMI

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 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal

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