NTR4502PT3

更新时间： 2024-01-09 22:00:01

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安森美 - ONSEMI		/
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Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23

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NTR4502PT3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.15
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.95 A	最大漏极电流 (ID)：	1.95 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTR4502PT3 数据手册

NTR4502P

Power MOSFET

−30 V, −1.95 A, Single, P−Channel,

SOT−23

Features

http://onsemi.com

• Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching

TYP

Max (Note 1)

−1.95 A

(BR)DSS

DS(on)

• Low R

for Low Conduction Losses

DS(ON)

155 mW @ −10 V

240 mW @ −4.5 V

• SOT−23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm)

• Pb−Free Packages are Available

−30 V

Applications

• DC to DC Conversion

P−Channel MOSFET

• Load/Power Switch for Portables and Computing

• Motherboard, Notebooks, Camcorders, Digital Camera’s, etc.

• Battery Charging Circuits

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Parameter

Drain−to−Source Voltage

Symbol Value Unit

−30

DSS

Gate−to−Source Voltage

MARKING DIAGRAM/

PIN ASSIGNMENT

Drain Current (Note 1)

t < 10 s T = 25°C

−1.95

−1.56

1.25

Drain

T = 70°C

Power Dissipation

(Note 1)

t < 10 s

TR2 M G

SOT−23

CASE 318

STYLE 21

Continuous Drain Current Steady T = 25°C

−1.13

−0.90

0.4

Gate

(Note 1)

State

Steady State

t = 10 ms

T = 70°C

Source

Power Dissipation

(Note 1)

TR2 = Device Code

= Date Code*

= Pb−Free Package

Pulsed Drain Current

−6.8

(Note: Microdot may be in either location)

Operating Junction and Storage Temperature

T ,

STG

−55 to

150

°C

*Date Code orientation and/or overbar may

vary depending upon manufacturing location.

Source Current (Body Diode)

−1.25

Lead Temperature for Soldering Purposes

(1/8 in from case for 10 s)

260

°C

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping†

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

NTR4502PT1

SOT−23

3000 / Tape & Reel

Symbol

Max

300

100

Unit

NTR4502PT1G

SOT−23

(Pb−Free)

3000 / Tape & Reel

Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)

Junction−to−Ambient – t = 10 s (Note 1)

°C/W

NTR4502PT3

SOT−23

10000 / Tape & Reel

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq. pad size

NTR4502PT3G

SOT−23

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

(Cu area = 1.127 in sq. [1 oz] including traces).

Publication Order Number:

April, 2009 − Rev. 4

NTR4502P/D

12 3 4 5

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NTR4502PT3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTR4502PT3G	ONSEMI	类似代替	Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
NTR4502PT1G	ONSEMI	类似代替	Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
NTR4502PT1	ONSEMI	类似代替	Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23

与NTR4502PT3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTR4502PT3G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
NTR4503N	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4503N	TYSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N-Channel, SOT-23 Pb-Free Package is Available
NTR4503NT1	TYSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N-Channel, SOT-23 Pb-Free Package is Available
NTR4503NT1	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4503NT1G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4503NT1G	TYSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N-Channel, SOT-23 Pb-Free Package is Available
NTR4503NT1G	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
NTR4503NT3G	TYSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N-Channel, SOT-23 Pb-Free Package is Available
NTR4503NT3G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N−Channel, SOT−23

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