NTR4501NT1

更新时间： 2024-01-08 13:29:38

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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6页	60K
描述
Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23

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NTR4501NT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	0.54	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.2 A
最大漏极电流 (ID)：	3.2 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTR4501NT1 数据手册

NTR4501N

Power MOSFET

20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23

Features

• Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching

• 2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive

• SOT−23 Surface Mount for Small Footprint

• Pb−Free Package is Available

http://onsemi.com

TYP

I MAX

(Note 1)

(BR)DSS

DS(on)

Applications

70 mW @ 4.5 V

85 mW @ 2.5 V

3.6 A

20 V

• Load/Power Switch for Portables

• Load/Power Switch for Computing

• DC−DC Conversion

3.1 A

N−Channel

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Parameter

Drain−to−Source Voltage

Symbol Value Unit

±12

3.2

DSS

Gate−to−Source Voltage

Continuous Drain

Current (Note 1)

Steady T = 25°C

State

T = 85°C

2.4

Steady State Power

Dissipation (Note 1)

Steady State

1.25

MARKING DIAGRAM/

PIN ASSIGNMENT

Pulsed Drain Current

t = 10 ms

10.0

Operating Junction and Storage Temperature

T ,

stg

−55 to

150

°C

Drain

Continuous Source Current (Body Diode)

1.6

SOT−23

CASE 318

STYLE 21

TR1

Lead Temperature for Soldering Purposes

(1/8” from case for 10 s)

260

°C

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

Gate

Source

TR1 = Specific Device Code

= Date Code

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Junction−to−Ambient (Note 1)

Junction−to−Ambient (Note 2)

Symbol

Max

100

300

Unit

ORDERING INFORMATION

°C/W

Device

Package

Shipping†

NTR4501NT1

SOT−23

3000 / Tape & Reel

1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size

(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).

NTR4501NT1G

SOT−23

2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.

(Pb−Free)

NTR4501NT3

SOT−23

10000 / Tape & Reel

NTR4501NT3G

SOT−23

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

March, 2005 − Rev. 4

NTR4501N/D

12 3 4 5 6

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NTR4501NT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTR4501NT3G	ONSEMI	完全替代	Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4501NT3	ONSEMI	类似代替	Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4501NT1G	ONSEMI	类似代替	Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTR4501NT1G	TYSEMI	获取价格	Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23 DC-DC Conversion
NTR4501NT1G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4501NT3	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4501NT3	TYSEMI	获取价格	Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23 DC-DC Conversion
NTR4501NT3G	TYSEMI	获取价格	Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23 DC-DC Conversion
NTR4501NT3G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4502P	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
NTR4502P	TYSEMI	获取价格	Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Battery Charging Circuits
NTR4502PT1	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
NTR4502PT1G	TYSEMI	获取价格	Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Battery Charging Circuits

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