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NTR4501NT3G

更新时间： 2024-11-19 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23

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NTR4501NT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.1配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.2 A
最大漏极电流 (ID)：3.2 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTR4501NT3G 数据手册

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NTR4501N  
Power MOSFET  
20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23  
Features  
• Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching  
• 2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive  
• SOT−23 Surface Mount for Small Footprint  
• Pb−Free Package is Available  
http://onsemi.com  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(Note 1)  
(BR)DSS  
DS(on)  
Applications  
70 mW @ 4.5 V  
85 mW @ 2.5 V  
3.6 A  
20 V  
• Load/Power Switch for Portables  
• Load/Power Switch for Computing  
• DC−DC Conversion  
3.1 A  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
20  
±12  
3.2  
V
V
DSS  
G
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
I
D
A
A
S
T = 85°C  
A
2.4  
A
Steady State Power  
Dissipation (Note 1)  
Steady State  
P
1.25  
W
D
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
3
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
10.0  
A
DM  
3
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
T
stg  
−55 to  
150  
°C  
J
Drain  
2
Continuous Source Current (Body Diode)  
I
1.6  
A
S
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
TR1  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1
2
Gate  
Source  
TR1 = Specific Device Code  
= Date Code  
M
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Symbol  
Max  
100  
300  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
R
°C/W  
q
q
JA  
JA  
Device  
Package  
Shipping†  
R
NTR4501NT1  
SOT−23  
3000 / Tape & Reel  
3000 / Tape & Reel  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
NTR4501NT1G  
SOT−23  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
(Pb−Free)  
NTR4501NT3  
SOT−23  
10000 / Tape & Reel  
10000 / Tape & Reel  
NTR4501NT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
March, 2005 − Rev. 4  
NTR4501N/D  
 
123456

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NTR4501NT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTR4501NT1 ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4501NT3 ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4501NT1G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23

与NTR4501NT3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTR4502P ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
NTR4502P TYSEMI

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 		Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Battery Charging Circuits
NTR4502PT1 ONSEMI

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 		Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
NTR4502PT1G TYSEMI

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 		Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Battery Charging Circuits
NTR4502PT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
NTR4502PT1G UMW

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
NTR4502PT3 ONSEMI

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 		Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
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 		Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
NTR4503N ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N−Channel, SOT−23
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 		Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N-Channel, SOT-23 Pb-Free Package is Available

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