5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTR4171PT3G
NTR4171PT3G PDF预览

NTR4171PT3G

更新时间： 2024-01-22 12:10:03
品牌 Logo 应用领域
TYSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 181K
描述
Power MOSFET -30 V, -3.5 A, Single P-Channel, SOT-23

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTR4171PT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.2 A最大漏极电流 (ID)：2.2 A
最大漏源导通电阻：0.075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTR4171PT3G 数据手册

 浏览型号NTR4171PT3G的Datasheet PDF文件第2页 
Product specification  
NTR4171P  
Power MOSFET  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
−30 V, −3.5 A, Single P−Channel, SOT−23  
75 mW @ −10 V  
110 mW @ −4.5 V  
150 mW @ −2.5 V  
−2.2 A  
−1.8 A  
−1.0 A  
−30 V  
Features  
• Low R  
at Low Gate Voltage  
• Low Threshold Voltage  
DS(on)  
• High Power and Current Handling Capability  
• This is a Pb−Free Device  
P−CHANNEL MOSFET  
S
Applications  
• Load Switch  
• Optimized for Battery and Load Management Applications in  
G
Portable Equipment like Cell Phones, PDA’s, Media Players, etc.  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
V
−30  
12  
DSS  
3
Gate−to−Source Voltage  
V
V
GS  
3
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
T = 25°C  
−2.2  
−1.5  
−3.5  
0.48  
Drain  
A
Steady  
State  
1
T = 85°C  
A
I
D
A
2
TRFMG  
SOT−23  
t ≤ 5 s  
T = 25°C  
A
G
CASE 318  
STYLE 21  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
1
Gate  
2
T = 25°C  
A
P
D
W
Source  
t ≤ 5 s  
1.25  
TRF  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
−15.0  
A
DM  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
T
stg  
−55 to  
150  
J
°C  
Source Current (Body Diode)  
I
S
−1.0  
A
Lead Temperature for Soldering Purposes  
T
260  
°C  
ORDERING INFORMATION  
L
(1/8″ from case for 10 s)  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
NTR4171PT1G  
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
NTR4171PT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10000/Tape & Reel  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
260  
100  
Unit  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient − t ≤ 10 s (Note 1)  
R
°C/W  
q
JA  
R
q
JA  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[2 oz] including traces)  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
1 of 2  
 
12

中文翻译

下载PDF

与NTR4171PT3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTR4171RT UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
NTR4501N TYSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23 DC-DC Conversion
NTR4501N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4501NT1 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4501NT1 TYSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23 DC-DC Conversion
NTR4501NT1G TYSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23 DC-DC Conversion
NTR4501NT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4501NT3 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4501NT3 TYSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23 DC-DC Conversion
NTR4501NT3G TYSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23 DC-DC Conversion

与NTR4171PT3G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证