NSVR0240P2T5G

更新时间： 2024-12-02 11:01:31

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安森美 - ONSEMI		光电二极管
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3页	103K
描述
肖特基势垒整流器，200 mA，40 V

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NSVR0240P2T5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	13 weeks
风险等级：	1.52	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.24 W
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

NSVR0240P2T5G 数据手册

NSR0240P2T5G

Schottky Barrier Diode

Schottky barrier diodes are optimized for very low forward voltage

drop and low leakage current and are used in a wide range of dc−dc

converter, clamping and protection applications in portable devices.

NSR0240P2 in a SOD−923 miniature package enables designers to

meet the challenging task of achieving higher efficiency and meeting

reduced space requirements.

http://onsemi.com

Features

40 V SCHOTTKY

BARRIER DIODE

• Very Low Forward Voltage Drop − 460 mV @ 100 mA

• Low Reverse Current − 0.2 mA @ 25 V VR

• 200 mA of Continuous Forward Current

• Power Dissipation of 240 mW with Minimum Trace

• Very High Switching Speed

CATHODE

ANODE

• Low Capacitance − CT = 7 pF

• This is a Pb−Free Device

MARKING

DIAGRAM

Typical Applications

• LCD and Keypad Backlighting

• Camera Photo Flash

• Buck and Boost dc−dc Converters

• Reverse Voltage and Current Protection

• Clamping & Protection

SOD−923

CASE 514AB

PLASTIC

= Specific Device Code

= Month Code

= Pb−Free Package

Markets

• Mobile Handsets

• MP3 Players

(Note: Microdot may be in either location)

• Digital Camera and Camcorders

• Notebook PCs & PDAs

• GPS

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping†

NSR0240P2T5G SOD−923

2 mm Pitch

8000/Tape & Reel

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol Value

Unit

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Reverse Voltage

200

2.0

Forward Current (DC)

Non−Repetitive Peak Forward Surge Current

FSM

ESD Rating: Human Body Model

Machine Model

ESD

Class 1C

Class A

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2009

Publication Order Number:

August, 2009 − Rev. 1

NSR0240P2/D

12 3

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与NSVR0240P2T5G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NSVR0240V2T1G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diode
NSVR0240V2T5G	ONSEMI	获取价格	40 V，0.25 A 低 IR 肖特基二极管
NSVR02HL40MX2WT5G	ONSEMI	获取价格	Schottky Diode, 40V, 200mA
NSVR02L40MX2WT5G	ONSEMI	获取价格	Schottky Diode, 40V, 200mA
NSVR0320MW2T1G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
NSVR0320XV6T1G	ONSEMI	获取价格	1.0 A, 23 V, Low VF Schottky Diode
NSVR0340HT1G	ONSEMI	获取价格	40 V，0.25 A 低 VF SOD-323 肖特基二极管
NSVR0340P2T5G	ONSEMI	获取价格	肖特基势垒整流器，200 mA，40 V
NSVR0520V2T1G	ONSEMI	获取价格	肖特基势垒整流器，500 mA，20 V
NSVR0520V2T5G	ONSEMI	获取价格	肖特基势垒整流器，500 mA，20 V

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