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NSVS1001CLTWG

更新时间： 2023-09-03 20:39:22
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 396K
描述
Bipolar Transistor -100V, -2.5A PNP Low VCE(sat) PNP Single LFPAK8

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NSVS1001CLTWG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LFPAK-8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2.5 A基于收集器的最大容量：26 pF
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：140JESD-30 代码：R-PDSO-X5
元件数量：1端子数量：5
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：15 W
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzVCEsat-Max：0.8 V

NSVS1001CLTWG 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Bipolar Transistor  
-100 V, -2.5 A, Low VCE(sat) PNP  
Single LFPAK  
LFPAK8 3.3x3.3, 0.65P  
CASE 760AD  
NSS1001CL  
ELECTRICAL CONNECTION  
This device is bipolar junction transistor featuring high current, low  
saturation voltage, and high speed switching.  
Suitable for automotive applications. AEC−Q101 qualified and  
PPAP capable. (NSVS1001CLTWG)  
Features  
• Complement to NSS1002CL  
• Large Current Capacitance  
• Low Collector to Emitter Saturation Voltage  
• Thin Profile LFPAK8 3.3 x 3.3 Package  
• High−Speed Switching  
MARKING DIAGRAM  
NSS  
1001G  
AWLYW  
• High Allowable Power Dissipation  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable (NSVS1001CLTWG)  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
NSS1001 = Specific Device Code  
= Assembly Location  
WL = Wafer Lot  
A
Compliant  
Y
W
G
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Typical Applications  
• Load Switch  
• Gate Driver Buffer  
• DC−DC Converters  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Specifications  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING at Ta = 25°C  
Parameter  
Collector−to−Base Voltage  
Collector−to−Emitter Voltage  
Emitter−to−Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
−120  
−100  
−7  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
V
V
I
C
−2.5  
A
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
I
−4  
A
CP  
P
P
(Note 1)  
(Note 2)  
0.8  
W
C
2.2  
C
Junction Temperature  
T
175  
°C  
°C  
J
Storage Temperature Range  
T
stg  
−55 to +175  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Mounted on FRB with minimum pad of Copper 2 oz  
2. Mounted on FRB with 1 in/sq pad of Copper 2 oz  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2021  
1
Publication Order Number:  
February, 2022 − Rev. 0  
NSS1001CL/D  
 
1234567

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