是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SC-59, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 5 weeks | 风险等级: | 1.51 |
Samacsys Description: | Schottky Diodes & Rectifiers SBD SERIES 30MA 5V | 应用: | GENERAL PURPOSE |
配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.23 V |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e6 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 0.03 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 参考标准: | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压: | 5 V | 最大反向电流: | 25 µA |
反向测试电压: | 0.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSVRB521S30T1G | ONSEMI |
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肖特基势垒二极管 | |
NSVRB521S30T5G | ONSEMI |
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肖特基势垒二极管 | |
NSVRB751S40T1G | ONSEMI |
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30 mA, 30 V, Schottky Barrier Diode | |
NSVRB751S40T5G | ONSEMI |
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30 mA, 30 V, Schottky Barrier Diode | |
NSVRB751V40T1G | ONSEMI |
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30 V 肖特基二极管 | |
NSVS1001CLTWG | ONSEMI |
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Bipolar Transistor -100V, -2.5A PNP Low VCE(sat) PNP Single LFPAK8 | |
NSVS1001SHT1G | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor | |
NSVS1001SLT4G | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor | |
NSVS1002CLTWG | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor | |
NSVS1002SHT1G | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor |