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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> NSVRB521S30T1G
NSVRB521S30T1G PDF预览

NSVRB521S30T1G

更新时间： 2023-06-19 14:31:37
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安森美 - ONSEMI 快速恢复二极管测试光电二极管整流二极管
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3页 77K
描述
肖特基势垒二极管

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NSVRB521S30T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：1.14
应用：FAST RECOVERY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.5 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.2 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：30 µA反向测试电压：10 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NSVRB521S30T1G 数据手册

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RB521S30T1G,  
RB521S30T5G  
Schottky Barrier Diode  
These Schottky barrier diodes are designed for high−speed  
switching applications, circuit protection, and voltage clamping.  
Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature  
surface mount package is excellent for hand−held and portable  
applications where space is limited.  
http://onsemi.com  
Features  
30 V SCHOTTKY  
BARRIER DIODE  
• Extremely Fast Switching Speed  
• Extremely Low Forward Voltage 0.5 V (max) @ I = 200 mA  
F
• Low Reverse Current  
1
2
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
CATHODE  
ANODE  
Compliant  
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
mA  
A
1
Reverse Voltage  
V
R
SOD−523  
CASE 502  
Forward Current DC  
I
F
200  
1.0  
Peak Forward Surge Current (Note 1)  
I
FSM  
ESD Rating: Class 1C per Human Body Model  
ESD Rating: Class C per Machine Model  
MARKING DIAGRAM  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. 60 Hz for 1 cycle.  
5M M G  
G
1
2
5M  
M
G
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(Note: Microdot may be in either location)  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
200  
mW  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
D
(Note 2) T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.57  
635  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
ORDERING INFORMATION  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +125  
stg  
†
Device  
Package  
Shipping  
2. FR−5 Minimum Pad.  
RB521S30T1G  
SOD−523  
(Pb−Free)  
4 mm Pitch  
3000/Tape & Reel  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
RB521S30T5G  
SOD−523  
(Pb−Free)  
4 mm Pitch  
8000/Tape & Reel  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Reverse Leakage  
I
−
−
30.0  
mA  
R
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
(V = 10 V)  
R
Forward Voltage  
V
−
−
0.50  
Vdc  
F
(I = 200 mA)  
F
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
July, 2011 − Rev. 6  
RB521S30T1/D  
 
123

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