是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 8 weeks | 风险等级: | 1.4 |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.37 V |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 0.5 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 0.03 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散: | 0.2 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压: | 40 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSVS1001CLTWG | ONSEMI |
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Bipolar Transistor -100V, -2.5A PNP Low VCE(sat) PNP Single LFPAK8 | |
NSVS1001SHT1G | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor | |
NSVS1001SLT4G | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor | |
NSVS1002CLTWG | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor | |
NSVS1002SHT1G | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor | |
NSVS1002SLT4G | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor | |
NSVS1006 | NJRC |
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SAW Filter, | |
NSVS1058 | NJRC |
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SAW Filter, 1 Function(s), 1575.42MHz, FLIP-CHIP | |
NSVS1061 | NJRC |
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SAW Filter, 1 Function(s), 174MHz, 10 Pin(s), Plastic, FLIP-CHIP | |
NSVS1065 | NJRC |
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SAW Filter, 1 Function(s), 465MHz, |