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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> NSVRB751S40T1G
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NSVRB751S40T1G

更新时间： 2023-06-19 14:31:37
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
30 mA, 30 V, Schottky Barrier Diode

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NSVRB751S40T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：1.45配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.03 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NSVRB751S40T1G 数据手册

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RB751S40T1  
Schottky Barrier Diode  
These Schottky barrier diodes are designed for high−speed  
switching applications, circuit protection, and voltage clamping.  
Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature  
surface mount package is excellent for hand−held and portable  
applications where space is limited.  
http://onsemi.com  
Features  
• Extremely Fast Switching Speed  
40 V SCHOTTKY  
BARRIER DIODE  
• Extremely Low Forward Voltage − 0.28 V (Typ) @ I = 1.0 mAdc  
F
• Low Reverse Current  
• Lead−Free Plating  
• Pb−Free Package is Available  
1
CATHODE  
2
ANODE  
2
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
SOD−523  
CASE 502  
PLASTIC  
Peak Reverse Voltage  
V
RM  
Reverse Voltage  
V
30  
V
R
Forward Continuous Current (DC)  
Peak Forward Surge Current  
I
30  
mA  
mA  
F
MARKING DIAGRAM  
I
500  
FSM  
ESD Rating: Class 1C per Human Body Model  
Class A per Machine Model  
5E MG  
G
1
2
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
5E = Specific Device Code  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
200  
mW  
ORDERING INFORMATION  
D
(Note 1) T = 25°C  
A
†
Device  
Package  
Shipping  
Derate above 25°C  
1.57  
635  
mW/°C  
°C/W  
RB751S40T1  
SOD−523  
4000/Tape & Reel  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
RB751S40T1G SOD−523  
(Pb−Free)  
4000/Tape & Reel  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
°C  
stg  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
1. FR−5 Minimum Pad.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 3  
RB751S40T1/D  
 
1234

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