是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.69 | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 0.03 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.2 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压: | 40 V | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSVRB751V40T1G | ONSEMI |
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30 V 肖特基二极管 |
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NSVS1001CLTWG | ONSEMI |
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Bipolar Transistor -100V, -2.5A PNP Low VCE(sat) PNP Single LFPAK8 |
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NSVS1001SHT1G | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor |
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NSVS1001SLT4G | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor |
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NSVS1002CLTWG | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor |
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NSVS1002SHT1G | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor |
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NSVS1002SLT4G | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor |
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NSVS1006 | NJRC |
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SAW Filter, |
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NSVS1058 | NJRC |
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SAW Filter, 1 Function(s), 1575.42MHz, FLIP-CHIP |
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NSVS1061 | NJRC |
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SAW Filter, 1 Function(s), 174MHz, 10 Pin(s), Plastic, FLIP-CHIP |
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