NSVR0240HT1G

更新时间： 2024-12-02 11:01:31

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安森美 - ONSEMI		光电二极管肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	108K
描述
40 V，0.25 A 低红外肖特基二极管

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NSVR0240HT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	1.5
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.16 W	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	40 V	最大反向恢复时间：	0.003 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

NSVR0240HT1G 数据手册

NSR0240HT1G

Schottky Barrier Diode

Schottky barrier diodes are optimized for very low forward voltage

drop and low leakage current and are used in a wide range of dc−dc

converter, clamping and protection applications in portable devices.

NSR0240H in a SOD−323 miniature package enables designers to

meet the challenging task of achieving higher efficiency and meeting

reduced space requirements.

http://onsemi.com

Features

40 VOLT SCHOTTKY

BARRIER DIODE

• Very Low Forward Voltage Drop −480 mV @ 100 mA

• Low Reverse Current − 0.2 mA @ 25 V VR

• 250 mA of Continuous Forward Current

• Power Dissipation of 160 mW with Minimum Trace

• Very High Switching Speed

• Low Capacitance − CT = 4 pF

• This is a Pb−Free Device

CATHODE

ANODE

Typical Applications

MARKING

DIAGRAM

• LCD and Keypad Backlighting

• Camera Photo Flash

• Buck and Boost dc−dc Converters

• Reverse Voltage and Current Protection

• Clamping & Protection

AC MG

SOD−323

CASE 477

STYLE 1

Markets

• Mobile Handsets

• MP3 Players

• Digital Camera and Camcorders

• Notebook PCs and PDAs

• GPS

AC = Specific Device Code

= Date Code

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

ORDERING INFORMATION

MAXIMUM RATINGS

†

Device

Package

Shipping

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

NSR0240HT1G

SOD−323* 3000/Tape & Reel

(Pb−Free)

Reverse Voltage

Forward Continuous Current (DC)

250

*This package is inherently Pb−Free.

Non−Repetitive Peak Forward Surge

Current

1.0

FSM

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

ESD Rating: Human Body Model

Machine Model

ESD

Class 1B

Class A

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2008

Publication Order Number:

September, 2008 − Rev. 0

NSR0240H/D

12 3 4

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与NSVR0240HT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NSVR0240MX2WT5G	ONSEMI	获取价格	40 V, 200mA Schottky Barrier Diodes in X2DFN2 & X2DFNW2
NSVR0240P2T5G	ONSEMI	获取价格	肖特基势垒整流器，200 mA，40 V
NSVR0240V2T1G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diode
NSVR0240V2T5G	ONSEMI	获取价格	40 V，0.25 A 低 IR 肖特基二极管
NSVR02HL40MX2WT5G	ONSEMI	获取价格	Schottky Diode, 40V, 200mA
NSVR02L40MX2WT5G	ONSEMI	获取价格	Schottky Diode, 40V, 200mA
NSVR0320MW2T1G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
NSVR0320XV6T1G	ONSEMI	获取价格	1.0 A, 23 V, Low VF Schottky Diode
NSVR0340HT1G	ONSEMI	获取价格	40 V，0.25 A 低 VF SOD-323 肖特基二极管
NSVR0340P2T5G	ONSEMI	获取价格	肖特基势垒整流器，200 mA，40 V

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