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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.58 | 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用： | FAST RECOVERY | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.95 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散： | 0.2 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 最大反向电流： | 0.15 µA | 反向测试电压： | 100 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSVR0230M2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
肖特基势垒整流器，30V，200mA，低 VF |
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| NSVR0230P2T5G | ONSEMI |
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肖特基势垒整流器，200 mA，30 V |
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| NSVR0240HT1G | ONSEMI |
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40 V，0.25 A 低红外肖特基二极管 |
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| NSVR0240MX2WT5G | ONSEMI |
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40 V, 200mA Schottky Barrier Diodes in X2DFN2 & X2DFNW2 |
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| NSVR0240P2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
肖特基势垒整流器，200 mA，40 V |
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| NSVR0240V2T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
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| NSVR0240V2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
40 V，0.25 A 低 IR 肖特基二极管 |
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| NSVR02HL40MX2WT5G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Diode, 40V, 200mA |
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| NSVR02L40MX2WT5G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Diode, 40V, 200mA |
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| NSVR0320MW2T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diodes |
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