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NGTB40N120FLWG

更新时间： 2024-09-13 12:22:47
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安森美 - ONSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 190K
描述
IGBT

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NGTB40N120FLWG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.69外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：80 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：260 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：630 ns
标称接通时间 (ton)：172 nsBase Number Matches：1

NGTB40N120FLWG 数据手册

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NGTB40N120FLWG  
IGBT  
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and  
cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides  
superior performance in demanding switching applications, offering  
both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is  
well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the  
device is a soft and fast co−packaged free wheeling diode with a low  
forward voltage.  
http://onsemi.com  
Features  
40 A, 1200 V  
• Low Saturation Voltage using NPT Trench with Field Stop  
Technology  
• Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation  
• 10 ms Short Circuit Capability  
• Low Gate Charge  
• Soft, Fast Free Wheeling Diode  
• These are Pb−Free Devices  
VCEsat = 2.0 V  
Eoff = 1.6 mJ  
C
G
Typical Applications  
• Solar Inverter  
• UPS Inverter  
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−emitter voltage  
VCES  
IC  
1200  
V
A
Collector current  
@ TC = 25°C  
G
TO−247  
CASE 340L  
STYLE 4  
80  
40  
C
@ TC = 100°C  
E
Pulsed collector current, T  
ICM  
IF  
320  
A
A
pulse  
limited by T  
Jmax  
Diode forward current  
@ TC = 25°C  
MARKING DIAGRAM  
80  
40  
@ TC = 100°C  
Diode pulsed current, T  
limited  
IFM  
320  
A
pulse  
by T  
Jmax  
Gate−emitter voltage  
VGE  
PD  
$20  
V
40N120FL  
AYWWG  
Power Dissipation  
W
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
260  
104  
Short Circuit Withstand Time  
= 15 V, V = 500 V, T ≤ 150°C  
T
10  
ms  
°C  
SC  
V
GE  
CE  
J
Operating junction temperature  
range  
T
−55 to +150  
J
A
Y
WW  
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Storage temperature range  
T
−55 to +150  
°C  
°C  
stg  
Lead temperature for soldering, 1/8”  
from case for 5 seconds  
T
SLD  
260  
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
NGTB40N120FLWG  
Package  
Shipping  
TO−247 30 Units / Rail  
(Pb−Free)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
September, 2012 − Rev. 0  
NGTB40N120FLW/D  
1234567...10

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NGTB40N120FLWG 替代型号

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