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NGTB50N60FLWG

更新时间： 2024-02-22 09:35:33
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
10页 187K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

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NGTB50N60FLWG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：24 weeks
风险等级：8.5最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：600 V门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-609代码：e3
最高工作温度：150 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NGTB50N60FLWG 数据手册

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NGTB50N60FLWG  
IGBT  
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and  
cost effective Trench construction, and provides superior performance  
in demanding switching applications, offering both low on state  
voltage and minimal switching loss.  
http://onsemi.com  
Features  
• Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology  
• Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation  
• Soft Fast Reverse Recovery Diode  
• Optimized for High Speed Switching  
• 5 ms Short−Circuit Capability  
50 A, 600 V  
CEsat = 1.65 V  
V
EOFF = 0.6 mJ  
C
• These are Pb−Free Devices  
Typical Applications  
• Solar Inverters  
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
E
Rating  
Symbol  
VCES  
IC  
Value  
Unit  
V
Collector−emitter voltage  
600  
Collector current  
@ TC = 25°C  
A
100  
50  
@ TC = 100°C  
G
Diode Forward Current  
@ TC = 25°C  
I
F
A
TO−247  
CASE 340L  
STYLE 4  
C
100  
50  
E
@ TC = 100°C  
Diode Pulsed Current  
I
200  
200  
5
A
A
FM  
T
Limited by T Max  
PULSE  
J
MARKING DIAGRAM  
Pulsed collector current, T  
I
pulse  
CM  
limited by T  
Jmax  
Short−circuit withstand time  
t
ms  
SC  
V
J
= 15 V, V = 300 V,  
GE  
CE  
T ≤ +150°C  
Gate−emitter voltage  
VGE  
$20  
$30  
V
V
50N60FL  
AYWWG  
Transient gate−emitter voltage  
(T  
PULSE  
= 5 ms, D < 0.10)  
Power Dissipation  
PD  
W
@ TC = 25°C  
223  
89  
@ TC = 100°C  
Operating junction temperature  
range  
T
−55 to +150  
°C  
J
A
Y
WW  
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to +150  
°C  
°C  
= Pb−Free Package  
Lead temperature for soldering, 1/8”  
from case for 5 seconds  
T
SLD  
260  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
NGTB50N60FLWG  
Package  
Shipping  
30 Units / Rail  
TO−247  
(Pb−Free)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
January, 2013 − Rev. 1  
NGTB50N60FLW/D  
1234567...10

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NGTB50N60FLWG 替代型号

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