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IRGP4063DPBF

更新时间： 2024-01-26 21:37:49
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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10页 779K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGP4063DPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.58
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：80 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：46 ns门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：30 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：330 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：56 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：210 ns
标称接通时间 (ton)：100 nsBase Number Matches：1

IRGP4063DPBF 数据手册

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PD - 97210  
IRGP4063DPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology  
C
VCES = 600V  
• Low switching losses  
• Maximum Junction temperature 175 °C  
• 5 µS short circuit SOA  
IC = 48A, TC = 100°C  
• SquareRBSOA  
G
tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C  
• 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM  
• Positive VCE (ON) Temperature co-efficient  
• Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode  
• Tightparameterdistribution  
)
E
VCE(on) typ. = 1.65V  
n-channel  
• LeadFreePackage  
Benefits  
C
• High Efficiency in a wide range of applications  
• Suitable for a wide range of switching frequencies due to  
Low VCE (ON) and Low Switching losses  
• RuggedtransientPerformanceforincreasedreliability  
• ExcellentCurrentsharinginparalleloperation  
• Low EMI  
E
C
G
TO-247AC  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
96  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
V
VCES  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current  
IC @ TC = 25°C  
48  
IC @ TC = 100°C  
192  
192  
96  
ICM  
Clamped Inductive Load Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Transient Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
A
ILM  
IF @ TC = 25°C  
48  
IF @ TC = 100°C  
192  
±20  
±30  
330  
170  
IFM  
V
VGE  
W
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C  
-55 to +175  
TJ  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.24  
80  
Max.  
0.45  
0.92  
–––  
Units  
Rθ (IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
°C/W  
JC  
Rθ (Diode)  
JC  
Rθ  
CS  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
–––  
JA  
1
www.irf.com  
05/11/06  
1234567...10

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IRGP4063DPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NGTB45N60S2WG ONSEMI

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 IGBT，600 V/45 A - 焊接
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