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IRGP4263D-EPBF

更新时间： 2024-10-01 19:43:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅
页数 文件大小 规格书
12页 941K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,

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IRGP4263D-EPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.62最大集电极电流 (IC)：90 A
集电极-发射极最大电压：650 V最大降落时间（tf）：50 ns
门极发射器阈值电压最大值：7.7 V门极-发射极最大电压：20 V
最高工作温度：175 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：325 W
最大上升时间（tr）：80 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IRGP4263D-EPBF 数据手册

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IRGP4263DPbF  
IRGP4263D-EPbF  
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode  
VCES = 650V  
C
IC = 60A, TC =100°C  
tSC 5.5µs, TJ(max) = 175°C  
CE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A  
G
E
E
C
C
G
G
E
V
IRGP4263D‐EPbF  
TO‐247AD  
IRGP4263DPbF  
TO‐247AC  
n-channel  
Applications  
• Industrial Motor Drive  
• UPS  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
• Solar Inverters  
• Welding  
Features  
Benefits  
High efficiency in a wide range of applications and  
switching frequencies  
Low VCE(ON) and switching losses  
Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C  
Positive VCE (ON) temperature coefficient  
Improved reliability due to rugged hard switching  
performance and higher power capability  
5.5µs short circuit SOA  
Enables short circuit protection scheme  
Environmentally friendly  
Lead-free, RoHS compliant  
Standard Pack  
Base part number  
Package Type  
Orderable Part Number  
Form  
Quantity  
IRGP4263DPbF  
IRGP4263D-EPbF  
TO-247AC  
TO-247AD  
Tube  
Tube  
25  
25  
IRGP4263DPbF  
IRGP4263D-EPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
650  
90  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current, VGE=20V  
Clamped Inductive Load Current, VGE=20V  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
ICM  
60  
192  
192  
74  
A
ILM  
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
VGE  
45  
±20  
325  
160  
V
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C  
TJ  
W
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
-40 to +175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.24  
40  
Max.  
0.46  
0.97  
–––  
Units  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)   
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)   
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
RJC (IGBT)  
RJC (Diode)  
RCS  
°C/W  
–––  
RJA  
1
www.irf.com  
© 2014 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
August 21, 2014  
1234567...12

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与IRGP4263D-EPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRGP4263DPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IRGP4263-EPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IRGP4263PBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IRGP4266D-EPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IRGP4266DPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IRGP4266-EPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IRGP4266PBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IRGP430U INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
IRGP430UD2 INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V,
IRGP430U-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,

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