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IRGP430U-E

更新时间： 2024-02-24 12:02:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	114K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRGP430U-E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.39	其他特性：	ULTRA FAST
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	500 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	260 ns	标称接通时间 (ton)：	40 ns

IRGP430U-E 数据手册

PD - 9.780

IRGP430U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

UltraFastIGBT

Features

• Switching-loss rating includes all "tail" losses

• Optimized for high operating frequency (over

V_CES=500V

5kHz)

curve

See Fig. 1 for Current vs. Frequency

V_CE(sat)≤ 3.0V

@V_GE= 15V, I_C= 15A

n-channel

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier

have higher usable current densities than comparable bipolar transistors,

while at the same time having simpler gate-drive requirements of the

familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of

high-voltage, high-current applications.

O -247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

500

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

I_LM

±20

V_GE

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 25°C

100

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Min.

------

Typ.

------

Max.

1.2

Units

°C/W

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, flat, greased surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

0.24

------

6 (0.21)

------

g (oz)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRGP450LC	ETC	获取价格
IRGP450U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=33A)
IRGP450UD2	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=33A
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