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IRGP4263-EPBF

更新时间： 2024-10-01 15:35:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅
页数 文件大小 规格书
11页 916K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,

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IRGP4263-EPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：90 A
集电极-发射极最大电压：650 V最大降落时间（tf）：50 ns
门极发射器阈值电压最大值：7.7 V门极-发射极最大电压：20 V
最高工作温度：175 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大上升时间（tr）：80 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IRGP4263-EPBF 数据手册

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IRGP4263PbF  
IRGP4263-EPbF  
Insulated Gate Bipolar Transistor  
VCES = 650V  
IC = 60A, TC =100°C  
E
E
C
tSC 5.5µs, TJ(max) = 175°C  
CE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A  
C
G
G
V
IRGP4263PbF  
TO247AC  
IRGP4263-EPbF  
TO-247AD  
Applications  
• Industrial Motor Drive  
• Inverters  
G
Gate  
C
E
Collector  
Emitter  
• UPS  
• Welding  
Features  
Low VCE(ON) and switching losses  
Benefits  
High efficiency in a wide range of applications and  
switching frequencies  
Improved reliability due to rugged hard switching  
performance and higher power capability  
Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C  
Positive VCE (ON) temperature coefficient  
5.5µs short circuit SOA  
Excellent current sharing in parallel operation  
Enables short circuit protection scheme  
Lead-free, RoHS compliant  
Environmentally friendly  
Base part number  
Package Type  
Standard Pack  
Form  
Orderable Part Number  
Quantity  
IRG7P4263PbF  
IRG7P4263-EPbF  
TO-247AC  
TO-247AD  
Tube  
Tube  
25  
25  
IRGP4263PbF  
IRGP4263-EPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current, VGE=20V  
650  
90  
V
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
60  
A
ICM  
192  
ILM  
Clamped Inductive Load Current, VGE=20V  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
192  
VGE  
±20  
V
PD @ TC = 25°C  
300  
W
PD @ TC = 100°C  
Maximum Power Dissipation  
150  
TJ  
Operating Junction and  
-40 to +175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
0.24  
40  
Max.  
0.5  
–––  
–––  
Units  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)   
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
RJC (IGBT)  
RCS  
RJA  
°C/W  
1
www.irf.com  
© 2014 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
August 21, 2014  
1234567...11

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与IRGP4263-EPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRGP4263PBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IRGP4266D-EPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IRGP4266-EPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IRGP4266PBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IRGP430U INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
IRGP430UD2 INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V,
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IRGP440U INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
IRGP440UD2 INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V,

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