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IRGP4266DPBF

更新时间： 2024-10-01 20:07:31

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英飞凌 - INFINEON		栅
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12页	855K
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,

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IRGP4266DPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	6.1
最大集电极电流 (IC)：	140 A	集电极-发射极最大电压：	650 V
最大降落时间（tf）：	80 ns	门极发射器阈值电压最大值：	7.7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	最高工作温度：	175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	455 W	最大上升时间（tr）：	90 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRGP4266DPBF 数据手册

IRGP4266DPbF

IRGP4266D-EPbF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

V_CES= 650V

I_C= 90A, T_C=100°C

t_SC5.5µs, T_J(max)= 175°C

_CE(ON)typ. = 1.7V @ IC = 75A

IRGP4266DPbF

TO-247AC

IRGP4266D-EPbF

TO-247AD

n-channel

Applications

 Industrial Motor Drive

 UPS

 Solar Inverters

 Welding

Gate

Collector

Emitter

Features

Benefits

Low V_CE(ON)and Switching Losses

5.5µs Short Circuit SOA

Square RBSOA

High Efficiency in a Wide Range of Applications

Rugged Transient Performance

Maximum Junction Temperature 175°C

Positive V_{CE (ON)}Temperature Co-efficient

Increased Reliability

Excellent Current Sharing in Parallel Operation

Base part number

Package Type

Standard Pack

Form

Orderable Part Number

Quantity

IRGP4266DPbF

IRGP4266D-EPbF

TO-247AC

TO-247AD

Tube

IRGP4266DPbF

IRGP4266D-EPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulse Collector Current, V_GE=20V

Clamped Inductive Load Current, V_GE=20V 

Diode Continuous Forward Current

Continuous Gate-to-Emitter Voltage

Maximum Power Dissipation

650

140

300

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

I_LM

I_F@ T_C= 25°C

I_F@ T_C= 100°C

V_GE

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C

T_J

±20

455

230

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and

-40 to +175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf·in (1.1 N·m)

Thermal Resistance

Parameter

Min.

–––

Typ.

–––

0.24

Max.

0.33

1.1

–––

Units

Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) 

Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode) 

Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)

R_JC(IGBT)

R_JC(Diode)

R_CS

°C/W

R_JA

2017-12-18

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRGP4266-EPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IRGP4266PBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IRGP430U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
IRGP430UD2	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V,
IRGP430U-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRGP440U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
IRGP440UD2	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V,
IRGP450LC	ETC	获取价格
IRGP450U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=33A)
IRGP450UD2	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=33A

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