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IRGP4068D-EPBF

更新时间： 2024-10-01 03:05:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管开关晶体管功率控制栅局域网
页数 文件大小 规格书
10页 327K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS

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IRGP4068D-EPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.5
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：96 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：330 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：210 ns标称接通时间 (ton)：180 ns
Base Number Matches：1

IRGP4068D-EPBF 数据手册

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PD - 97250  
IRGP4068DPbF  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-LOWVFDIODE IRGP4068D-EPbF  
FORINDUCTIONHEATINGANDSOFTSWITCHINGAPPLICATIONS  
Features  
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology  
• Low Switching Losses  
C
VCES = 600V  
• Maximum Junction temperature 175 °C  
• 5 µS short circuit SOA  
IC = 48A, TC = 100°C  
• SquareRBSOA  
G
tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C  
• 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM  
• Positive VCE (ON) Temperature co-efficient  
• Ultra-low VF HyperfastDiode  
• Tightparameterdistribution  
)
E
VCE(on) typ. = 1.65V  
n-channel  
• LeadFreePackage  
Benefits  
C
C
• Device optimized for induction heating and soft switching  
applications  
• High Efficiency due to Low VCE(on), Low Switching Losses  
andUltra-lowVF  
• RuggedtransientPerformanceforincreasedreliability  
• ExcellentCurrentsharinginparalleloperation  
• Low EMI  
E
E
C
C
G
G
TO-247AC  
IRGP4068DPbF  
TO-247AD  
IRGP4068D-EPbF  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current  
600  
96  
V
VCES  
IC @ TC = 25°C  
48  
IC @ TC = 100°C  
192  
ICM  
Clamped Inductive Load Current  
Diode Continous Forward Current  
192  
A
ILM  
8.0  
IF @ TC = 160°C  
IFSM  
Diode Non Repetitive Peak Surge Current @ TJ = 25°C  
Diode Peak Repetitive Forward Current  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Transient Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
175  
16  
IFM  
±20  
V
VGE  
±30  
330  
W
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
170  
PD @ TC = 100°C  
Operating Junction and  
-55 to +175  
TJ  
Storage Temperature Range  
°C  
TSTG  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.24  
80  
Max.  
0.45  
2.0  
Units  
Rθ (IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
°C/W  
JC  
Rθ (Diode)  
JC  
Rθ  
–––  
CS  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
–––  
JA  
1
www.irf.com  
08/16/06  
1234567...10

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