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IRGP4069DPBF

更新时间： 2024-01-31 04:29:01
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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11页 428K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGP4069DPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：76 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：54 ns门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：268 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：42 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：188 ns
标称接通时间 (ton)：78 nsBase Number Matches：1

IRGP4069DPBF 数据手册

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PD - 97425  
IRGP4069DPbF  
IRGP4069D-EPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology  
• Low Switching Losses  
C
VCES = 600V  
• Maximum Junction Temperature 175 °C  
• 5 µS short circuit SOA  
IC(Nominal) = 35A  
• SquareRBSOA  
G
tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C  
• 100% of The Parts Tested for ILM  
• Positive VCE (ON) Temperature Coefficient  
• TightParameterDistribution  
• LeadFreePackage  
E
VCE(on) typ. = 1.6V  
n-channel  
C
C
Benefits  
• High Efficiency in a Wide Range of Applications  
• Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due to  
Low VCE (ON) and Low Switching Losses  
• Rugged Transient Performance for Increased Reliability  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation  
E
E
C
C
G
G
TO-247AC  
TO-247AD  
IRGP4069DPbF  
IRGP4069D-EPbF  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Nominal Current  
600  
76  
V
VCES  
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
INOMINAL  
50  
35  
Pulse Collector Current, VGE = 15V  
Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V  
ICM  
105  
A
ILM  
140  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Transient Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
76  
IF @ TC = 25°C  
50  
IF @ TC = 100°C  
140  
IFM  
±20  
±30  
268  
V
VGE  
W
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
134  
PD @ TC = 100°C  
Operating Junction and  
-55 to +175  
TJ  
Storage Temperature Range  
°C  
TSTG  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.24  
40  
Max.  
0.56  
1.0  
Units  
°C/W  
Rθ (IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
JC  
Rθ (Diode)  
JC  
Rθ  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
–––  
CS  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
–––  
JA  
1
www.irf.com  
10/2/09  
1234567...11

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IRGP4069DPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRGP4650DPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLARTRANSIST WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP4640-EPBF INFINEON

类似代替

 Insulated Gate Bipolar Transistor,

与IRGP4069DPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRGP4069PBF INFINEON

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 		暂无描述
IRGP4262D-EPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor

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