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IRGP4086PBF

更新时间： 2024-10-01 04:08:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 247K
描述
PDP TRENCH IGBT

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IRGP4086PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：45 weeks 6 days风险等级：8.48
最大集电极电流 (IC)：70 A集电极-发射极最大电压：300 V
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：30 V
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NOBase Number Matches：1

IRGP4086PBF 数据手册

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PD - 97132  
IRGP4086PbF  
PDP TRENCH IGBT  
Key Parameters  
Features  
VCE min  
300  
1.90  
250  
150  
V
V
l
Advanced Trench IGBT Technology  
l
Optimized for Sustain and Energy Recovery  
Circuits in PDP Applications  
VCE(ON) typ. @ IC = 70A  
IRP max @ TC= 25°C c  
TJ max  
A
TM  
l
Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSE  
for Improved Panel Efficiency  
)
°C  
l
l
High Repetitive Peak Current Capability  
Lead Free Package  
C
C
E
G
C
G
E
TO-247AC  
n-channel  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Description  
This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced  
trenchIGBTtechnologytoachievelowVCE(on) andlowEPULSETM ratingpersiliconareawhichimprovepanel  
efficiency. Additional features are 150°C operating junction temperature and high repetitive peak current  
capability. These features combine to make this IGBT a highly efficient, robust and reliable device for PDP  
applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
VGE  
±30  
Gate-to-Emitter Voltage  
V
A
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
IRP @ TC = 25°C  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
Continuous Collector Current, VGE @ 15V  
Continuous Collector, VGE @ 15V  
Repetitive Peak Current c  
Power Dissipation  
70  
40  
250  
160  
W
63  
Power Dissipation  
1.3  
Linear Derating Factor  
W/°C  
°C  
TJ  
-40 to + 150  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
300  
10lbxin (1.1Nxm)  
N
Thermal Resistance  
Parameter  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Case-to-Sink (flat, greased surface)  
Junction-to-Ambient (typical socket mount) d  
Weight  
Typ.  
–––  
Max.  
0.8  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC (IGBT)  
RθCS  
d
0.24  
–––  
–––  
40  
RθJA  
6.0 (0.21)  
–––  
www.irf.com  
1
4/17/08  
1234567

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